NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
1
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1.0
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB6410ANG
NTB6410ANT4G
NTP6410ANG
NVB6410ANT4G
Device
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NVD4815NT4G MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
NVD5117PLT4G MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
NVD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
NVD5807NT4G MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
NVD5862NT4G MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
NVD5863NLT4G MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
NVD5865NLT4G MOSFET N CH 60V DPAK-4
NVD5867NLT4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4
相关代理商/技术参数
NVB6411ANT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 75A 16MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 75A 16MO - Cut TR (SOS)
NVB6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET
NVB6412ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVB6413AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NVB6413ANT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 40A 30MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET D2PAK 100V 40A 30MO
NVBA 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALL MOUNTING BRACKET FOR NVX15GHGA
NVBAT01 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:BATTERY FOR NV3Q
NV-BAT01 功能描述:BATTERY FOR NV3Q RoHS:是 类别:电池产品 >> 电池,非充电式(原电池) 系列:- MSDS 材料安全数据表:Alkaline Battery PSDS 标准包装:500 系列:- 电池化学:碱性 电池大小:AAA 电压 - 额定:1.5V 容量:- 尺寸/尺寸:0.41" 直径 x 1.75" H(10.5mm x 44.5mm) 端接类型:焊片 放电速率:- 重量:0.38 盎司(10.83g) 装运信息:- 其它名称:P645T